Электромагнитная обстановка на объектах электроэнергетики



Скачать 430.9 Kb.
Дата30.05.2018
Размер430.9 Kb.
Название файлаОценка ЭМО на заданном объекте энергетики.docx

  1. Оценка ЭМО на заданном объекте энергетики. (Стр. 73-104).

Глава третья

ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

3.1. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ОБСТАНОВКИ И СТЕПЕНИ ЖЕСТКОСТИ ИСПЫТАНИЙ НА ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТЬ

Общие положения. Чтобы исключить или уменьшить опасность воздействия электромагнитных возмущений на устройства автоматических и автоматизированных систем технологического управления электротехническими объектами, производят испытания на устойчивость к воздействию помех различного вида и устанавливают уровни помехоустойчивости этих устройств. Выбор устройств при проектировании автоматических и автоматизированных систем технологического управления электротехническими объектами осуществляют с учетом электромагнитной обстановки (ЭМО) в местах установки устройств. При испытаниях технических средств (ТС) на помехоустойчивость применяют критерии качества функционирования (табл. 3.1). Уровень электромагнитных помех в условиях эксплуатации и уровень восприимчивости ТС в общем случае являются случайными величинами.

Вероятность амплитуд помех подчиняется некоторому закону. При большом числе влияющих факторов закон распределения, как правило, является нормальным. Восприимчивость ТС к помехам можно также характеризовать некоторыми вероятностными кривыми. В идеальном случае интегральные кривые электромагнитных помех и восприимчивости к ним не должны иметь общего диапазона значений напряжений, где уровень восприимчивости ниже уровня помех. Такая ситуация означает абсолютную ЭМС рассматриваемого устройства. По мере сближения кривых вероятности амплитуд помех и помеховосприимчивости уровень ЭМС становится все хуже. В соответствии со сказанным устанавливаются нормированные уровни испытательных величин, которые, с одной стороны должны быть не менее расчетного уровня допустимых помех и, с другой, — меньше уровня восприимчивости конкретного устройства. Это условие необходимо соблюдать при согласовании выбора уровня испытательных воздействий (степени жесткости испытаний) и с уровнями параметров электромагнитной обстановки при эксплуатации ТС.

Таблица 3.1. Критерии качества функционирования ТС при испытаниях

Обозначение критерия качества

Критерий качества функционирования ТС при испытаниях

А Нормальное функционирование с параметрами в соответствии с техническими условиями В Кратковременное нарушение функционирования или ухудшение параметров с последующим восстановлением нормального функционирования без вмешательства оператора С Нарушение функционирования или ухудшение параметров, требующее для восстановления нормального функционирования вмешательства оператора D Нарушение функционирования или ухудшение параметров, требующее ремонта из-за выхода из строя оборудования или компонентов

19 / 54


74 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

Классификация электромагнитной обстановки окружающей среды. Электромагнитная обстановка окружающей среды представляет собой многовариантную систему с широким разбросом параметров, количества, вида и интенсивности проявляющихся в данном месте электромагнитных воздействий. Экономически нецелесообразно выполнять любое устройство или автоматическую и автоматизированную систему технологического управления электротехническими объектами абсолютно стойкими к самым жестким электромагнитным воздействиям. Требуется классификация электромагнитных условий окружающей среды по видам и уровням воздействия, в соответствии с которой можно сформулировать требования, предъявляемые к различным устройствам в отношении электромагнитной совместимости. Электромагнитную обстановку принято характеризовать как легкую (класс 1), средней жесткости (класс 2), жесткую (класс 3) и крайне жесткую (класс 4). Электромагнитной обстановке под таким же номером соответствуют степень жесткости испытаний технических средств на электромагнитную совместимость и группа их исполнения. Класс 1. Легкая электромагнитная обстановка: • осуществлены оптимизированные и скоординированные мероприятия по подавлению помех, защите от перенапряжений во всех цепях; • электропитание отдельных элементов устройства резервировано, силовые и сигнальные цепи выполнены раздельно; • выполнение заземлений, прокладка кабелей, экранирование произведено в соответствии с требованиями ЭМС; • климатические условия контролируются, приняты специальные меры по предотвращению разрядов статического электричества.

Класс 2. Электромагнитная обстановка средней жесткости: • цепи питания и управления частично оборудованы помехозащитными устройствами и устройствами для защиты от перенапряжений; • отсутствуют силовые выключатели, устройства для отключения конденсаторов, катушек индуктивностей; • электропитание устройств осуществляется от сетевых стабилизаторов; • имеется тщательно выполненное заземляющее устройство; • токовые контуры разделены гальванически; • предусмотрено регулирование влажности воздуха, материалы, способные электризоваться трением, отсутствуют; • применение радиопереговорных устройств, передатчиков запрещено. Эта обстановка типична для диспетчерских помещений индустриальных предприятий, электростанций и подстанций. Класс 3. Жесткая электромагнитная обстановка: • защита от перенапряжений в силовых цепях и цепях управления не предусмотрена; • повторного зажигания дуги в коммутационных аппаратах не происходит; • имеется контур заземления; • провода электропитания, управления и коммутационных цепей недостаточно разделены; • кабели линий передачи данных, сигнализации, управления разделены; • относительная влажность воздуха поддерживается в определенных пределах, нет материалов, электризуемых трением; • использование переносных радиопереговорных устройств ограничено (установлены ограничения приближения к приборам на определенное расстояние). Эта обстановка характерна для индустриальных цехов, электростанций, релейных помещений подстанций.

20 / 54


3.1. Классификация электромагнитной обстановки и степени жесткости испытаний 75

Класс 4. Крайне жесткая обстановка: • защита в цепях управления и силовых контурах от перенапряжений отсутствует; • имеются коммутационные устройства, в аппаратах которых возможно повторное зажигание дуги; • существует неопределенность в выполнении заземляющего устройства; • нет пространственного разделения проводов электропитания, управления и коммутационных цепей; • управление и сигнализация осуществляются по общим кабелям; • допустимы любая влажность воздуха и наличие электризуемых трением материалов; • возможно неограниченное использование переносных переговорных устройств; • в непосредственной близости могут находиться мощные радиопередатчики; • вблизи могут находиться дуговые технологические устройства (электропечи, сварочные машины и т.п.). Типичными для этого класса являются территории вблизи промышленных предприятии, электростанций, ОРУ среднего и высокого напряжений, где не предусматриваются специальные меры по обеспечению ЭМС. Воспроизведение электромагнитных помех при испытаниях. Устройства автоматических и автоматизированных систем технологического управления электротехническими объектами проходят испытания на устойчивость к воздействиям электромагнитных помех в соответствии с базовым

нормативно-техническим документом в области электромагнитной совместимости — ГОСТ 29280—92 «Испытания на помехоустойчивость. Общие положения», в котором рассматриваются практически все виды испытаний. По отдельным видам испытаний (в более подробном изложении) выпущены серии ГОСТ Р 51317.4. В настоящее время в России вводятся в действие новые отечественные стандарты, включающие также методы испытаний (более 50 стандартов), гармонизированные с международными стандартами и европейскими нормами, регламентирующими объем современных требований к техническим средствам по обеспечению ЭМС. Перечень основных видов электромагнитных помех со стандартизованными параметрами, применяемых при испытаниях ТС на помехоустойчивость, установленных стандартами МЭК серии 61000-4, включает в настоящее время 17 электромагнитных воздействий. Они приведены в табл. 3.2. Анализ этой таблицы показывает, что номенклатура стандартизованных электромагнитных воздействий, устанавливаемых стандартами МЭК серии 61000-4, в целом соответствует номенклатуре видов электромагнитных помех на электрических станциях и подстанциях. В табл. 3.3 приведены рекомендации по выбору портов ТС, подлежащих воздействию помех при проведении испытаний на помехоустойчивость.

Таблица 3.2. Перечень основных видов электромагнитных помех и стандартов по испытаниям на помехоустойчивость

Категория электромагнитных помех

ГОСТ Электромагнитная помеха по стандарту МЭК

Низкочастотные кондуктивные электромагнитные помехи

Р 51317.4.14—2000 Колебания напряжения электропитания, МЭК 610004-14—2000 Р 51317.4.11—99 Динамические изменения напряжения электропитания, МЭК 61000-4-11—94 Р 51317.4.28—2000 Изменение частоты питающего напряжения, МЭК 61000-4-28—2000 В разработке Несимметрия питающего напряжения, МЭК 61000-4-27

21 / 54

76 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ



Окончание табл. 3.2

Категория электромагнитных помех

ГОСТ Электромагнитная помеха по стандарту МЭК

Низкочастотные кондуктивные электромагнитные помехи

Р 51317.4.16—2000 Кондуктивные помехи, представляющие собой общие несимметричные напряжения в полосе частот от 0 до 150 кГц, МЭК 61000-4-16—98 В разработке Динамические изменения напряжения электропитания постоянного тока, МЭК 61000-4-29—2000 Р 51317.4.17—2000 Пульсации напряжения электропитания постоянного тока, МЭК 61000-4-17—99 В разработке Низкочастотные гармоники и интергармоники, включая сигналы, передаваемые по силовым линиям, МЭК 61000-4-13

Низкочастотные излучаемые электромагнитные помехи

Р 50648—94 Магнитное поле промышленной частоты, МЭК 61000-4-8—93

Высокочастотные кондуктивные электромагнитные помехи

Р 51317.4.4—99 Наносекундные импульсные помехи, МЭК 61000-44—95 Р 51317.4.5—99 Микросекундные импульсные помехи большой энергии, МЭК 61000-4-5—95

Высокочастотные кондуктивные электромагнитные помехи

Р 51317.4.6—99 Кондуктивные помехи, наведенные радиочастотными электромагнитными полями, МЭК 61000-4-6—96 Р 51317.4.12—99 Колебательные затухающие помехи, МЭК 61000-4-12—96

Высокочастотные излучаемые электромагнитные помехи

Р 51317.4.3—99 Радиочастотное электромагнитное поле, МЭК 61000-4-3—95 Р 50649—94 Импульсное магнитное поле, МЭК 61000-4-9—93 Р 50652—94 Затухающее колебательное магнитное поле, МЭК 61000-4-10—93

Разряды статического электричества

Р 51317.4.2—99 Разряды статического электричества, МЭК 61000-4-2—95

Таблица 3.3. Рекомендации по выбору портов ТС, подлежащих воздействию помех при проведении испытаний на помехоустойчивость

Помехи, вид испытаний

Порты электропитания переменного тока

Порты электропитания постоянного тока

Порт корпуса

Порт ввода-вывода сигналов

Порты заземления

Разряды статического электричества НП Н П Н Н Радиочастотное электромагнитное поле Н Н П Н Н Наносекундные импульсные помехи П П НП М М Микросекундные импульсные помехи большой энергии П М НП М М Кондуктивные помехи, наведенные радиочастотными электромагнитными полями П П НП П П Магнитное поле промышленной частоты НП НП М НП НП Импульсное магнитное поле НП НП М НП НП

22 / 54


3.2. Нормированные и действительные уровни помех на объектах энергетики 77

3.2. НОРМИРОВАННЫЕ И ДЕЙСТВИТЕЛЬНЫЕ УРОВНИ ПОМЕХ НА ОБЪЕКТАХ ЭНЕРГЕТИКИ

В условиях эксплуатации электротехническое оборудование подвергается электромагнитным воздействиям различного происхождения (см. гл. 1). Ниже приводятся результаты измерений электромагнитной обстановки в местах планируемого размещения микропроцессорных устройств релейной защиты (МПУ РЗА) фирмы Siemens на энергетических объектах, проводится анализ степени устойчивости к нормированным электромагнитным

воздействиям по характеристикам этих устройств, приведенным в сертификате, определяются коэффициенты запаса по устойчивости к электромагнитным воздействиям при эксплуатации устройств в измеренной окружающей электромагнитной обстановке, формируются рекомендации о необходимости проведения лабораторных испытаний или испытаний по месту эксплуатации для подтверждения требований обеспечения электромагнитной совместимости. Результаты измерений параметров электромагнитной обстановки в местах планируемого по проекту размещения фирмы Siemens приведены в табл. 3.4.

Окончание табл. 3.3

Примечание. П — подлежит воздействию, за исключением специальных случаев; Н — не подлежит воздействию, за исключением специальных случаев; М — подлежит воздействию при определенных обстоятельствах; НП — не подлежит воздействию.

Помехи, вид испытаний

Порты электропитания переменного тока

Порты электропитания постоянного тока

Порт корпуса

Порт ввода-вывода сигналов

Порты заземления

Затухающее колебательное магнитное поле НП НП М НП НП

Динамические изменения напряжения электропитания

П НП НП НП НП

Колебательные затухающие помехи, в том числе:

одиночные колебательные затухающие помехи

М Н НП М Н

повторяющиеся колебательные затухающие помехи

М М НП М М

Низкочастотные гармоники и интергармоники, включая сигналы, передаваемые по силовым линиям

Н НП НП НП НП

Колебания напряжения электропитания Н НП НП НП НП

Кондуктивные помехи в полосе частот от 0 до 150 кГц

Н Н НП Н НП

Пульсации напряжения электропитания постоянного тока

НП М НП НП НП

Несимметрия напряжений электропитания М НП НП НП НП

Изменения частоты питающего напряжения Н НП НП НП НП

Динамические изменения напряжения электропитания постоянного тока

НП М НП НП НП

23 / 54


78 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

Таблица 3.4. Электромагнитная обстановка в местах размещения и использования МПУ РЗА фирмы Siemens на подстанции ВЛ Курская АЭС — ПС Северо-Украинская

№ п/п

Виды электромагнитных воздействий



СтандартИсточник помех

Максимальные значения электромагнитных воздействий

РЩОРУ-750

Цепи тока МПУ РЗА

Цепи напряжения МПУ РЗА

Цепи питания оперативного тока МПУ РЗА

1Магнитные поля промышленной частоты

ГОСТ Р 50648, МЭК 61000-4-8

Пылесос90 А/м————

КЗ в сети питания470 А/м————

Под проводом ВЛ при 300МВт

—10,6 А/м———

КЗ фазы трансформатора на землю

—300 А/м———

2Импульсное магнитное поле

ГОСТ Р 50649, МЭК 61000-4-9

Удаленный грозовой разряд

0,5 А/м——300 В—

Грозовой разряд в молниеприемник на расстоянии 50 м от распределительного щита

300 А/м——3 В—

3Затухающее колебательное магнитное поле частотой 1 МГц

ГОСТ Р 50652, МЭК 61000-4-10

Коммутация разъединителя0,5 А/м————

Коммутация в цепях нагрузки

2 А/м————

4Полевые индустриальные радиопомехи в окружающем пространстве в полосе 30—1000 МГц от станционного оборудования

ГОСТ Р 51318.11.1, СИСПР-11.1

Радиостанция «Алтай»100 дБ————

Реактор ВЛ 750 кВ—100 дБ———

Фоновая составляющая70 дБ70 дБ———

Радиостанция 27 МГц1 дБ————

Радиостанция Siemens 970МГц

110 дБ————

Пылесос60 дБ————

24 / 54

3.2. Нормированные и действительные уровни помех на объектах энергетики 79



5Кондуктивные индустриальные радиопомехи в цепях тока и напряжения МПУРЗА, в цепях оперативного постоянного тока (КРЧП) вполосе 0,15— 30МГц, наводимые станционным оборудованием

ГОСТ Р 51318.11.1, СИСПР-11.1

Штатный кабель——82 дБ, норма 79 дБ

90 дБ, норма 79 дБ

95 дБ, норма 79 дБ

Кабель КВВГЭ не заземлен————30 дБ, норма 79 дБ

Кабель КВВГЭ заземлен со стороны МПУ РЗА

————50 дБ, норма 79 дБ

Кабель КВВГЭ заземлен с двух сторон

————65 дБ, норма 79 дБ

Кабель связи без ферритового фильтра

————85 дБ, норма 79 дБ

Кабель связи с ферритовым фильтром

————70 дБ, норма 79 дБ

6Микросекундные импульсы в период нормальной эксплуатации

ГОСТ Р 51317.4.5, МЭК 61000-4-5

Сеть питания——1,0 А300 В—

7Затухающие импульсы в период нормальной эксплуатации

ГОСТ Р 51317.4.12, МЭК 61000-4-12

Сеть питания——1,7 В2 В—

8Прерывание напряжения 300 мкс

ГОСТ Р 51317.4.11, МЭК 61000-4-11

Сеть питания————11 В

9Пачки импульсных помех

Промышленной частоты

Сеть питания———4,5 В—

10Общий коэффициент искажения гармоник

ОСТ 364.17.4.1Сеть питания———23 %—

11Колебания напряжения сети питания

ГОСТ Р 51317.4.14, МЭК 61000-4-14

Сеть питания————30 %

12Затухающие импульсные помехи

ГОСТ Р 51317.4.12, МЭК 61000-4-12

Отключение разъединителя

———1,5 кВ провод—провод 4,5 кВ провод—земля

Включение разъединителя———1,3 кВ—



Отключение выключателя———0,5 кВ—

25 / 54


80 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

По проекту внедрения МПУ РЗА фирмы Siemens в соответствии со своими функциями предназначены для использования на энергетических объектах в системах нормальной эксплуатации, важных для безопасности, и в системах аварийного электроснабжения. Функции МПУ РЗА фирмы Siemens: • дистанционная защита от междуфазных КЗ; • дистанционная защита от КЗ на землю; • автоматическое повторное включение; • контроль синхронизма; • защита от повышения напряжения; • токовая защита обратной последовательности; • токовая ступенчатая защита; • направленная токовая ступенчатая защита; • блокировка от качаний; • переключение групп установок; • логика приема и передачи телесигналов; • осциллографирование; • одностороннее дистанционное определение места повреждения;

• контроль исправности цепей управления; • устройство резервирования отказа выключателя. В соответствии с ГОСТ Р 50746—2000 по электромагнитной совместимости системы нормальной эксплуатации должны соответствовать III группе исполнения, а систем аварийной эксплуатации — IV группе исполнения. В задачу анализа соответствия МПУ РЗА фирмы Siemens требованиям электромагнитной совместимости по параметрам, приведенным в сертификате МПУ РЗА, входит и определение возможности использования МПУ РЗА в системах аварийного электроснабжения. В табл. 3.5 приведены значения коэффициентов запаса KЭМО по устойчивости МПУ РЗА к электромагнитным воздействиям, которые определяются как отношение значений нормируемых воздействий, приведенных в сертификате МПУ РЗА фирмы Siemens, к значениям параметров реальной электромагнитной обстановки в местах размещения и использования МПУ РЗА.

Таблица 3.5. Сравнительный анализ требований стандартов по электромагнитной совместимости по цепям тока, напряжения, цепям питания оперативного тока и в целом

Виды воздействий

Максимальное нормированное воздействие, при котором соблюдается ЭМС

Коэффициент запаса KЭМО МПУ РЗА Siemens

РД 34.35.310—97

Сертификат МПУ РЗА Siemens

EN 50082


ГОСТ Р 50746—2000

Группы исполнения

III IV

Радиочастотные электромагнитные поля в диапазоне 80—1000 МГц



10 В/м 10 В/м — 10 В/м 10 В/м 10

Кондуктивные помехи, наведенные радиочастотными электромагнитными полями в диапазоне 0,15—80 МГц

— 10 В — 10 В 10 В 20

Микросекундные импульсные помехи ольшой энергии:

провод—провод ±2 кВ ±1 кВ ±1 кВ ±1 кВ ±2 кВ 3

провод—земля ±4 кВ ±2 кВ ±2 кВ ±2 кВ ±4 кВ

26 / 54

3.2. Нормированные и действительные уровни помех на объектах энергетики 81



Динамические изменения напряжения сети электропитания:

провалы на 30 % 0,5 с — 0,1 с 1 с 2 с Нет данныхвыбросы на 20 % — — — 1 с 2 с

прерывания на 100 % 0,1 с — 5 с 0,1 с 0,2 с

Наносекундные импульсные помехи:

сеть переменного тока ±4 кВ ±4 кВ ±2 кВ ±2 кВ ±4 кВ Нет данныхсеть постоянного тока — — — ±1 кВ ±2 кВ

порт управления ±2 кВ — ±1 кВ ±1 кВ ±2 кВ

Электростатические разряды:

воздушные ±8 кВ ±15 кВ ±8 кВ ±6 кВ ±15 кВ 2

контактные ±6 кВ ±8 кВ ±6 кВ ±8 кВ ±8 кВ

Магнитное поле промышленной частоты:

длительно 30 А/м 30 А/м 30 А/м 30 А/м 40 А/м 2

кратковременно (3 с) — — — 400 А/м 400 А/м Нет данных

Импульсное магнитное поле

±300 А/м ±300 А/м — ±300 А/м ±600 А/м 1

Затухающее колебательное магнитное поле

— — — 30 А/м 100 А/м Нет данных

Колебательные затухающие помехи частотой 1 МГц по сети:

а) переменного тока

провод—провод 1,0 кВ 1,0 кВ — 1,0 кВ 1,0 кВ 0,7

провод—земля 2,5 кВ 2,5 кВ — 2,0 кВ 2,5 кВ 0,6

б) постоянного тока:

провод—провод — — — 0,5 кВ 1,0 кВ Нет данных провод—земля — — — 1,0 кВ 2,0 кВ

Изменения частоты в сети электропитания

— — — ±15 % ±15 % Нет данных

Колебания напряжения электропитания

— — — ±12 % ±20 % Нет данных

Виды воздействий

Максимальное нормированное воздействие, при котором соблюдается ЭМС

Коэффициент запаса KЭМО МПУ РЗА Siemens

РД 34.35.310—97

Сертификат МПУ РЗА Siemens

EN 50082


ГОСТ Р 50746—2000

Группы исполнения

III IV

Продолжение табл. 3.5



27 / 54

82 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

Многие характеристики ЭМС в сертификате не приводятся, поэтому невозможно определить многие коэффициенты запаса. Кроме того, коэффициент запаса по устойчивости к колебательным затухающим помехам частотой 1 МГц (основной вид электромагнитных воздействий на ОРУ-750) меньше единицы. Поэтому рекомендовано проводить лабораторные испытания МПУ РЗА фирмы Siemens на соответствие требованиям электромагнитной совместимости, регламентированные стандартом ГОСТ Р 50746—2000. По результатам испытаний определяется эксплуатационный коэффициент запаса по устойчивости МПУ РЗА к электромагнитным воздействиям, который представляет собой отношение значений параметров реальной помехоустойчивости, приведенным в протоколе испытаний, к регламентированным значениям параметров электромагнитных воздействий для установленной стандартом ГОСТ Р 50746—2000 группы исполнения МПУ РЗА в соответствии с назначением и влиянием МПУ РЗА на надежность работы электронного оборудования. При проведении испытаний МПУ РЗА на соответствие требованиям электромаг

нитной совместимости по месту эксплуатации определяются коэффициенты оперативного запаса по устойчивости к электромагнитным воздействиям как отношение значений параметров реальной помехоустойчивости, приведенных в протоколе испытаний, к параметрам реальной электромагнитной обстановки, приведенным в протоколе измерений параметров в период обследования электромагнитной обстановки по месту эксплуатации. Для предварительной оценки соответствия МПУ РЗА требованиям устойчивости к электромагнитным воздействиям проектные организации используют понятие проектного коэффициента запаса kпр по устойчивости к электромагнитным воздействиям, который определяется как отношение значений параметров устойчивости к электромагнитным воздействиям, приведенных в сертификате на МПУ РЗА, к регламентированным значениям параметров электромагнитных воздействий для установленной стандартом ГОСТ Р 50746—2000 группы исполнения МПУ РЗА в соответствии с назначением и влиянием МПУ РЗА на безопасность ЭО.

Кондуктивные помехи в полосе частот 0—150 кГц

— — — 10 В 30 В Нет данных

Токи кратковременных синусоидальных помех частотой 50 Гц в цепях защитного и сигнального заземления

— — — 150 А 200 А Нет данных

Токи микросекундных импульсных помех в цепях защитного и сигнального заземления

— — — 150 А 200 А Нет данных

Виды воздействий

Максимальное нормированное воздействие, при котором соблюдается ЭМС

Коэффициент запаса KЭМО МПУ РЗА Siemens

РД 34.35.310—97

Сертификат МПУ РЗА Siemens

EN 50082


ГОСТ Р 50746—2000

Группы исполнения

III IV

Окончание табл. 3.5



28 / 54

3.2. Нормированные и действительные уровни помех на объектах энергетики 83

Знание коэффициентов запаса по устойчивости к электромагнитным воздействием позволяет корректно подходить как к выбору энергетического оборудования для включения их в проекты, так и к определению необходимости проведения лабораторных испытаний или испытаний по месту эксплуатации ЭО для подтверждения их соответствия регламентируемым требованиям электромагнитной совместимости. В условиях реконструкции и продления ресурса действующих энергоблоков атомных станций и при проектировании новых объектов ядерной энергетики осуществляется переход на новую (в основном микропроцессорную) элементную базу систем контроля, защиты и управления. В этих условиях проблема электромагнитной совместимости приобрела весьма важное значение как для эксплуатирующих, так и для проектных организаций, поэтому разветвленные устройства управления, релейной защиты, автоматизированного управления, измерений, связи, сигнализации и др. подвергаются разнообразным внешним и внутренним электромагнитным воздействиям в нормальных и аварийных режимах (см. гл. 1). Этими воздействиями определяется электромагнитная обстановка, характеризующаяся уровнями помех. Уровни воздействующих помех можно регулировать различными техническими мероприятиями. К таким мероприятиям относятся выбор режима работы (например, ограничение токов КЗ, регулирование напряжения, частоты, алгоритма оперативных переключений и т.д.), обеспечение молниезащиты, заземление, экранирование, прокладка электрических коммуникаций, уравнивание и выравнивание потенциалов, использование защитных устройств, ограничивающих перенапряжения (например, разрядников, ограничителей перенапряжений, варисторов, ограничительных

диодов, комбинированных устройств), фильтров, использование строительных конструкций в качестве экранов, рациональное размещение оборудования и многое другое. Задачей обеспечения электромагнитной совместимости является согласование испытательных уровней и уровней воздействий ТС. Для того чтобы реализовать это согласование, могут потребоваться дополнительные технические мероприятия для облегчения электромагнитной обстановки в местах расположения ТС или на сетевых, сигнальных, информационных или иных электрических их входах. Так как электромагнитная обстановка на объектах электроэнергетики является сложной и трудно поддается расчетам, то во многих случаях ее определяют экспериментально. Для этого необходимо разрабатывать специальные методики и устройства. Рассмотрим основные виды и параметры электромагнитных воздействий на технические средства электрической части атомных станций. В [2] установлены уровни различных испытательных воздействий при испытаниях ТС. Это означает, что электромагнитная обстановка в месте установки ТС должна характеризоваться более низкими параметрами, чем испытательные. Принято разделять воздействия (или электромагнитные помехи) на кондуктивные (распространяющиеся по проводам), полевые и обусловленные качеством электроэнергии сети электропитания. Нормированные в [2] виды электромагнитных помех приведены в табл. 3.6—3.8. Сопоставление данных табл. 3.6—3.8, позволяет сделать вывод о том, что ЭМС на объектах энергетики во многих случаях не обеспечивается.

29 / 54

84 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ



Таблица 3.6. Нормированные [2] и зафиксированные значения кондуктивных электромагнитных помех на объектах энергетики

Воздействие

Предельное нормированное воздействие при группе исполнения Зафиксированные значения I II III IV

Микросекундные импульсные помехи большой энергии, кВ

До 0,5 0,5—1 0,5—2 1—4 При обратных перекрытиях наблюдаются импульсы амплитудой до 5—10 кВ

Наносекундные импульсные помехи (пачки импульсов), кВ

До 0,5 0,5—1 0,5—3 2—4 Уровни помех 4,5 кВ в цепях трансформаторов напряжения

Разряды статического электричества, кВ

2 4 6 — контакт 8 — контакт Данных не имеется

8 — искра 15 — искра

Кондуктивные помехи, наведенные радиочастотными электромагнитными полями, В

1 3 10 10 Превышения нормированного уровня помех

Колебательные затухающие помехи, кВ

До 0,5 0,25—1 0,5—2 1—4 Помехи амплитудой до 4,8 кВ

Кондуктивные помехи (полоса частот 0—150 кГц), В

0,1—1 0,3—10 1—30 3—100 Превышения достигают 15—20 дБ

Токи кратковременных (3 с) синусоидальных помех 50 Гц в цепях защитного и сигнального заземления, А

50 100 150 200 Данных не имеется

Токи микросекундных импульсных помех в цепях защитного и сигнального заземления (импульс 4/300 мкс), А

50 100 150 200 Данных не имеется

Таблица 3.7. Нормированные [2] и зафиксированные значения наибольших полевых электромагнитных помех

Воздействие

Предельное нормированное воздействие при группе исполнения Зафиксированные значения I II III IV

Радиочастотное электромагнитное поле, В/м

1—3 3—10 10—30 10—30 Напряжения, превышающие нормированные в 2 раза

Магнитное поле промышленной частоты, А/м:

Напряженность 90 А/м (длительное воздействие) длительное 3 10 30 40 кратковременное — 400 400 600

30 / 54


3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 85

3.3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА АТОМНЫХ СТАНЦИЯХ

Методика и результаты обследования электромагнитной обстановки на атомных станциях (АС). В настоящее время методика комплексного обследова

ния электромагнитной обстановки на АС России только начинает разрабатываться [13], а в доступной иностранной литературе о такой постановке задачи не упоминается; обычно каждый автор ограничивается рассмотрением частных вопросов общей задачи (см., например, [14]). Тем не менее, при разработке методики комплексного

Импульсное магнитное поле (8/20 мкс), А/м

— 100 300 600 Данных не имеется, однако при неудаленных перекрытиях изоляции возможны более высокие напряженности

Затухающее колебательное магнитное поле длительностью до 10 с, А/м

— 10 30 100 Напряженность более 400 А/м (при КЗ)

Воздействие

Предельное нормированное воздействие при группе исполнения Зафиксированные значения I II III IV

Окончание табл. 3.7

Таблица 3.8. Нормированные [2] и зафиксированные значения наибольших электромагнитных помех, обусловленных качеством электропитания

Воздействие

Предельное нормированное воздействие при группе исполнения Зафиксированные значения III I I I I V

Изменения частоты питающего напряжения, %

±3 +4, –6 ±15 ±15 Как правило, отклонение частоты не выходит за указанные пределы

Искажения синусоидальности напряжения электропитания (наибольшая амплитуда гармоник, % основной)

— до 9 до 12 В соответствии с ТЗ на ТС

Данные об искажениях отсутствуют

Динамические изменения напряжения электропитания при: провалах напряжения на 70 %, с

0,2 0,5 1 2 Более глубокие провалы

прерываниях напряжения, мс

20 50 100 200 Прерывания большей длительности

выбросах напряжения на 120 %, с

0,2 0,5 1 2 В цепях постоянного оперативного тока наведенные напряжения 50 Гц амплитудой до 125 В

31 / 54


86 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

обследования электромагнитной обстановки на объектах АС авторы [13] использовали и результаты этих разрозненных работ. Например, в [13] приведены сведения о значениях амплитуд затухающих импульсных колебательных помех на входах устройств (РЗ) при коммутации разъединителем на контрольных кабелях разного вида, проложенных под сборными шинами ОРУ разного класса напряжения. Для оценки порядка величин и влияния отдельных внешних факторов ниже приведены значения этих амплитуд, кВ:

Примечание: Экраны кабелей заземлены с обоих концов.

Существенное влияние на значение наведенного напряжения оказывает входное сопротивление нагрузки, особенно для экранированных кабелей. Соответствующие данные для кабеля с экраном из медной оплетки при волновом сопротивлении 50 Ом приведены ниже:

При удалении кабеля от шин амплитуда помехи сильно снижается; в [13] приведены экспериментальные данные, показывающие, что при удалении кабеля от коммутируемых шин на 7—10 м амплитуда помехи снижается в 3—4 раза. В контрольных кабелях, подключенных к емкостным измерительным трансформаторам, по зарубежным данным амплитуды

помех существенно выше, чем указывались ранее:

Наводки на другие контрольные кабели при однофазных КЗ на линиях находятся в пределах 50—500 В. В подобной ситуации и с учетом того, что элементы ОРУ подвержены разрядам молнии и многим другим внешним электромагнитным воздействиям регулярного и случайного характера, а также чрезвычайно важного фактора — состояния заземляющего устройства ОРУ для работы электрооборудования практически всей АС, авторы [13] сочли целесообразным сделать, прежде всего, попытку разработать методику обследования электромагнитной обстановки на ОРУ сверхвысокого напряжения. В соответствии с природой источников помех и с учетом практического опыта при обследовании электромагнитной обстановки на электроэнергетических объектах АС, ОРУ высокого и сверхвысокого напряжений, необходимо выполнить следующие работы: • проверить целостность контура заземления ОРУ и присоединений оборудования и конструкций ОРУ к контуру заземления; • выполнить коммутации разъединителями ненагруженных участков шин ОРУ с одновременной регистрацией кондуктивных импульсных помех на входах кабелей от трансформаторов тока и напряжения к устройствам релейной защиты; • измерить индустриальные радиопомехи в цепях трансформаторов тока, напряжения и оперативного постоянного тока; • измерить напряженности магнитного поля промышленной частоты в помещении релейного щита в нормальных условиях (фоновое поле) и при КЗ в сети питания 220 В переменного тока;

Класс напряжения ПС . . . 110 220 380 Кабель без оболочки . . . . 2,2 2,7 4,8 Кабель с броней из стальной ленты . . . . . . 1,2 1,8 3,0 Кабель с медным плетеным экраном . . . . . . 0,25 0,40 0,60 Кабель со сплошным экраном из цветного металла. . . . . . . . . . . . . . . 0,20 0,25 0,40

Сопротивление нагрузки кабеля, Ом . . 600 000 600 100 50 Среднее значение амплитуды наведенного напряжения, В . . . . . . . 302 11 5,98 4,6

Класс напряжения, кВ . . . . . 110 220 380 Амплитуда помехи без мер по защите от помех, кВ . . . . 1,6 5,5 12 Амплитуда помехи при использовании мер по защите от помех, кВ . . . . 1,5 2,5 2

32 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 87



• измерить напряженности затухающего колебательного магнитного поля при коммутации участков шин разъединителями на ОРУ и при коммутационных переключениях в помещении релейного щита; • измерить напряженности радиочастотных электромагнитных полей в нормальных режимах работы оборудования в разное время суток (мониторинг фонового поля) и выполнить те же измерения при работе устройств мобильной радиосвязи и электроприборов (пылесоса, электродрели и пр.) в помещении релейного щита; • проанализировать напряжения и зарегистрировать импульсные явления в цепях трансформаторов тока, напряжения и в цепях оперативного постоянного тока; • в соответствии с рекомендациями [15] выполнить имитационные эксперименты, необходимые для последующих расчетов параметров редких явлений и соответствующих им параметров помех, воспроизвести которые в натуре невозможно (КЗ, разряды молнии на молниеприемники или элементы конструкций ОРУ); • измерить потенциалы электростатических зарядов оперативного персонала

при работе на изолирующих подставках в условиях низкой влажности в помещении релейного щита; • проанализировать результаты проведения обследования электромагнитной обстановки на ОРУ и при необходимости дать рекомендации проектным организациям по применению устройств защиты от недопустимого для оборудования уровня помех. Ниже приводятся некоторые результаты исследований электромагнитной обстановки на действующем энергоблоке АС. Магнитные поля в помещении релейного щита ОРУ сверхвысокого напряжения. В процессе эксплуатации оборудование релейного щита постоянно находится в окружении электротехнических устройств, токи которых создают магнитные поля, образующие в итоге некоторое среднее, слабо изменяющееся по амплитуде во времени фоновое магнитное поле промышленной частоты. Для измерения этого поля необходима установка датчиков магнитного поля в трех пространственных координатах и соответствующего измерителя. На рис. 3.1 представлены совмещенные осциллограммы напряженности магнит

1

2

3



Рис. 3.1. Совмещенные осциллограммы напряженностей магнитного поля промышленной частоты в трех координатах в разное время рабочих дней (Нmax = 0,6 А/м, масштаб времени 100 мс/дел.): кривые 1 — вертикальная составляющая напряженности; кривые 2 — горизонтальная составляющая; кривые 3 — вторая ортогональная горизонтальная составляющая

33 / 54


88 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

ного поля промышленной частоты, полученные в разные дни и время суток. Из этих осциллограмм следует, что напряженность фонового магнитного поля 50 Гц в месте измерений не превышает 1 А/м. Кроме фонового магнитного поля промышленной частоты, оборудование релейного щита может подвергаться и действию магнитного поля от источников случайного характера, к которым следует отнести электроинструмент, использование которого бывает необходимым в условиях эксплуатации, и КЗ, которые могут произойти в сети 220 В, 50 Гц релейного щита. Соответствующие явления были воспроизведены при обследовании релейного щита. На рис. 3.2 приведены осциллограммы напряженности магнитного поля промышленной частоты при работе пылесоса, применяющегося при обработке панелей релейной защиты. Эти осциллограммы позволяют сделать вывод о том, что напряженность сравнительно длительно действующего магнитного поля не превышает 90 А/м в самом

неблагоприятном случае (на расстоянии 1 см над пылесосом при пуске пылесоса под нагрузкой). На рис. 3.3 приведены осциллограммы напряженности магнитного поля при КЗ длительностью 0,01 с в сети 220 В релейного щита. Эти осциллограммы позволяют заключить, что при КЗ в сети релейного щита микропроцессорная релейная защита может подвергаться кратковременному действию магнитного поля промышленной частоты напряженностью более 400 А/м в самом неблагоприятном случае. Таким образом, по результатам измерений можно утверждать, что при испытаниях на устойчивость к действию магнитного поля промышленной частоты устройств контроля, защиты и управления, установленных в помещении релейного щита, следует принять напряженности испытательного поля 100 А/м в длительном режиме и 600 А/м при кратковременном воздействии (до 3 с).

1

2



3

Рис. 3.2. Напряженности магнитного поля 50 Гц (амплитуда примерно 90 А/м) при включении в работу бытового пылесоса в помещении релейного щита при расположении трехкоординатного датчика магнитного поля на расстоянии 1 см над пылесосом (масштаб времени 4 мс/дел.): 1—3 — см. рис. 3.1

34 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 89



Импульсные магнитные поля. В процессе эксплуатации оборудование релейного щита может подвергаться действию импульсного магнитного поля, возникающего в результате протекания тока молнии в расположенных поблизости металлоконструкциях. Сложность измерения амплитуды напряженности такого магнитного поля заключается в случайной природе разряда молнии, что требует постоянного длительного и непрерывного контроля ситуации (как минимум в течение грозового сезона). При выполнении данной работы такой возможности не было по причине отсутствия соответствующей техники, да и сама по себе необходимость в этом не столь очевидна, так как разряд молнии и его эффекты изучены достаточно хорошо [5, 10]. Однако удалось зафиксировать факт появления импульсного магнитного поля в месте установки микропроцессорной релейной защиты в здании релейного щита, однозначно вызванного разрядом молнии во время грозы. На рис. 3.4 представлены осциллограммы напряженностей импульсного магнитного поля в трех координатах, которые

были зарегистрированы во время грозы при разрядах молнии на значительном удалении от ОРУ. Результирующие амплитуды напряженности этих полей невелики (0,5 А/м), но импульсы имеют весьма крутые фронты. Таким образом, даже удаленные разряды молнии проявляют себя в помещении релейного щита, что свидетельствует о весьма слабых свойствах здания. При более близких разрядах следует ожидать возникновения помех с большими амплитудами. Затухающее колебательное магнитное поле. В процессе эксплуатации оборудование релейного щита может подвергаться действию затухающего колебательного магнитного поля, возникающего, например, при протекании затухающих колебательных импульсов тока в ошиновке ОРУ при коммутациях находящихся под напряжением, но обесточенных участков шин. При выполнении коммутаций разъединителями на ОРУ в процессе выполнения натурных экспериментов по обследованию электромагнитной обстановки на ОРУ с помощью оборудования, применявшегося

1

2

3



Рис. 3.3. Напряженности магнитного поля промышленной частоты амплитудой 469 А/м, зафиксированные трехкоординатным датчиком магнитного поля, расположенным в 10 см от токоведущего провода при имитации КЗ в сети 220 В переменного тока релейного щита ОРУ (масштаб времени 20 мс/дел.): 1—3 — см. рис. 3.1

35 / 54


90 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

при исследовании импульсного магнитного поля, были получены осциллограммы напряженности затухающего колебательного магнитного поля, свидетельствующие о том, что колебания этого поля едва выделяются на уровне фонового магнитного поля. Это нетрудно объяснить большой удаленностью коммутируемых шин от места измерений (не менее 150 м). Другим источником затухающего колебательного магнитного поля может быть затухающий ток высокочастотного переходного процесса, возникающий при отключении индуктивных нагрузок постоянного или переменного тока. Для исследования таких ситуаций выполнялся эксперимент по отключению различных электроприборов от сети 220 В переменного тока релейного щита и проводилась обычная регистрация состояния магнитного поля в месте установки микропроцессорной релейной защиты. Так как в период выполнения регистрации полей выполнялись профилактические и наладочные работы в помещении релейного щита, то, естественно, наблюдались и коммутации в цепи питания постоянного тока 220 В. Регистрация магнитных полей при выполнении различных работ на релейном

щите позволила выделить наиболее характерную осциллограмму напряженности затухающего колебательного магнитного поля (рис. 3.5), по которой напряженность этого поля оценивается значением 1,7 А/м, а частота 2 МГц. Радиочастотные электромагнитные поля в помещении релейного щита и на ОРУ АС. В процессе эксплуатации оборудование релейного щита и подходящие к нему цепи постоянно находятся в электромагнитных полях очень широкого диапазона частот. Среди этих электромагнитных полей и частот в стандартах РФ по испытаниям на ЭМС [2] выделяются обязательные для испытаний на устойчивость к действию электромагнитных полей диапазоны 30—230 и 230—1000 МГц (так называемые радиочастотные электромагнитные поля). Измерения параметров радиочастотных электромагнитных полей являются, таким образом, обязательными при обследовании электромагнитной обстановки на объекте. Диапазон частот менее 30 МГц рассматривается в российском стандарте [2] в контексте испытаний на устойчивость к кондуктивным радиочастотным помехам в

2

1



3

Рис. 3.4. Напряженности импульсного магнитного поля при разряде молнии вне территории ОРУ (масштаб времени 20 мс/дел.): 1—3 — см. рис. 3.1

36 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 91



цепях питания и управления. Однако при исследовании электромагнитной обстановки на объекте полезно определить источник помех и поэтому нельзя игнорировать взаимосвязи электромагнитного поля частотой ниже 30 МГц и токов этих частот в цепях микропроцессорной релейной защиты. Так как определение параметров электромагнитного поля имеет своей целью не только разработку требований к испытательным воздействиям, но и разработку рекомендаций по защите от вредных влияний поля на оборудование релейного щита в широком диапазоне частот, то диапазон исследования поля был выбран максимально широким (от 9 кГц до 1000 МГц) в трех поддиапазонах: 9 кГц — 1 МГц; 20— 265 МГц, 200—1000 МГц. На рис. 3.6 представлен типичный спектр напряженности радиочастотного электромагнитного поля в диапазоне 200— 1000 МГц. Сравнительный анализ полученных спектров позволяет констатировать наличие стабильных источников радиочастотного электромагнитного поля в направлении «Восток» на частоте 338 МГц, что

соответствует реально существующей системе локальной радиотелефонной сети «Алтай». Наблюдались выбросы напряженности электромагнитного поля на этой частоте до 100 дБ (100 мВ/м), что превышает допустимые стандартом РФ пределы по эмиссии более чем в 2 раза. Фоновое радиочастотное электромагнитное поле на ОРУ в диапазоне частот 200—1000 МГц. На рис. 3.7 представлен характерный спектр для направления «Север» вертикальной компоненты радиочастотного электромагнитного поля в месте установки реакторов на ОРУ в диапазоне 200— 1000 кГц. Были выполнены измерения в 8000 точках значений частоты в каждом из обследуемых мест ОРУ. Измерения проводили в четырех характерных точках ОРУ 750 кВ. Наибольшее значение напряженности поля (102,5 дБ) получено в направлении «Север» для вертикальной компоненты электромагнитного поля на частоте примерно 338 МГц вблизи реакторов (рис. 3.7). В результате сопоставления спектров напряженностей радиочастотного электромагнитного поля для диапазона 200—

2

1

3



Рис. 3.5. Осциллограммы импульсов затухающего колебательного магнитного поля при выполнении коммутации в процессе наладки защит и контакторов, производимых эксплуатационным персоналом в помещении релейного щита ОРУ (Hmax = 1,7 А/м, f = 2 МГц, масштаб времени 2 мкс/дел.)

37 / 54


92 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

дБ

80



70

60

50



40

30

20 200 300 400 500 600 700 800 900 МГц



Рис. 3.6. Типичный частотный спектр напряженности радиочастотного электромагнитного поля в диапазоне 200—1000 МГц, зарегистрированного в помещении релейного щита (вертикальная поляризация, направление «Север»): горизонтальная линия — уровень допустимых помех

30

200 300 400 500 600 700 800 900 МГц



40

50

60



102,5 дБ 338,3 МГц

70

80



90

дБ

Рис. 3.7. Типичный спектр напряженности радиочастотного электромагнитного поля в диапазоне 200— 1000 МГц в месте установки реакторной группы ВЛ



38 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 93

1000 МГц в релейном щите с осциллограммами в разных точках ОРУ можно констатировать, что напряженность на ОРУ в среднем на 20 дБ выше, чем в помещении релейного щита, что свидетельствует о плохих экранирующих свойствах здания релейного щита и о необходимости учета этого факта при выборе степени жесткости испытаний установленного там оборудования на устойчивость к действию радиочастотного электромагнитного поля. Кондуктивные радиочастотные помехи в цепях тока и напряжения микропроцессорной релейной защиты в цепях оперативного постоянного тока, эффективность способов ограничения их уровня. Кондуктивные радиочастотные помехи являются очень опасными для микропроцессорных устройств электромагнитными воздействиями, распространяющимися по информационным, измерительным и силовым цепям, т.е. фактически являются направленными электромагнитными воздействиями, способными проникать в самые чувствительные элементы систем. Источниками кондуктивных радиочастотных помех могут являться как внешние электромагнитные поля, наводящие потенциалы или токи на жилах измерительных цепей и цепей питания микропроцессорной релейной защиты, так и токи и потенциалы, наведенные расположенными в одном пучке соседними высокочастотными кабелями (диафония) и подключенные к данной сети устройства (что особенно характерно для разветвленной сети питания постоянного тока). В стандартах РФ предусмотрены соответствующие испытания на эмиссию кондуктивных радиочастотных помех и на устойчивость к их действию. Кондуктивные радиочастотные помехи характеризуются такими параметрами как частота и напряжение. Причем напряжение измеряется на сопротивлении 50 Ом, по которому протекают специально отфильтрованные токи помех, а частота напряжения определяется специально настроенным

приемником. Устройство, позволяющее выполнить эту фильтрацию при измерениях, получило название «эквивалент сети». Таким образом, схема измерений кондуктивных радиочастотных помех представляет собой последовательное соединение выхода кабеля, в котором измеряется уровень помех, с входом «эквивалента сети», на выходе которого подключены приемник—анализатор радиочастотных сигналов типа ESHS 10, имеющий дисплей для наблюдения за ходом измерений и принтер для распечатки результатов измерений по форме, установленной стандартами МЭК и РФ. Кроме собственно определения характеристик кондуктивных помех были выполнены эксперименты по использованию различных приемов уменьшения их уровня и проведены необходимые измерения непосредственно на исследуемом объекте. Ниже приводятся результаты измерений и дан их анализ. На рис. 3.8—3.10 представлены типичные спектры напряжений кондуктивных радиочастотных помех в цепях напряжения, тока и питания релейной защиты. Эти спектры сняты в один день с интервалом всего в несколько минут, что делает достаточно правомерным их сопоставление. Все спектры имеют значительное сходство по конфигурации и характеризуются близкими частотами выбросов значений ординат кривых. Выбросы за допустимые пределы значений напряжения кондуктивных помех (горизонтальные линии на рис. 3.8— 3.10) характерны в большей степени для цепи напряжения, хотя имеют место и в остальных цепях. Для цепей питания постоянного тока микропроцессорной релейной защиты характерен наиболее высокий уровень напряжений кондуктивных помех в диапазоне 0,15—30 МГц (по причине большой протяженности цепей и наличия большого количества подключенного к ним высокочастотного оборудования).

39 / 54

94 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ



30

20

10



1 10 20 МГц

40

50



60

70

80



90 дБ

0,15


Рис. 3.8. Типичные спектры напряжения кондуктивных радиочастотных помех в цепи напряжения микропроцессорной релейной защиты

30

20



10

0,15


0

1 10 20 МГц

40

50

60



70

80

90 дБ



Рис. 3.9. Типичные спектры напряжения кондуктивных радиочастотных помех в цепи тока микропроцессорной релейной защиты

30 20 10


0,15

0

1 10 МГц



40 50 60 70 80 90 дБ

Рис. 3.10. Типичные спектры напряжения кондуктивных радиочастотных помех в цепи питания постоянного тока

40 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 95



Следует отметить, что диапазон частот, определяющих наибольшие амплитуды выбросов, для всех рассмотренных цепей лежит в пределах 0,15—1 МГц, что приводит к заключению о преимущественно «внутреннем» происхождении кондуктивных радиочастотных помех (в этом диапазоне работают высокочастотные устройства, расположенные в помещении релейного щита). На приведенных спектрах представлены лишь результаты конкретных измерений, однако анализ результатов измерений в другие часы и дни обследования дает основания для обобщения этого вывода на ситуацию в целом. По результатам исследования параметров кондуктивных радиочастотных помех в цепях тока и напряжения микропроцессорной релейной защиты и в сети постоянного тока можно сделать вывод о том, что непосредственное подключение этих цепей к микропроцессорной релейной защите приведет к появлению в соответствующих цепях защиты кондуктивных радиочастотных помех, превышающих в диапазоне 0,15—1 МГц допустимые по стандартам РФ пределы. Так как уровень напряжения кондуктивных радиочастотных помех превосходит допустимые как квазипиковые, так и средние значения, то целесообразно рассмотреть технические решения по уменьшению уровня таких помех в кабелях. Наиболее простыми широко применяемыми решениями являются использование экранированных кабелей и установка фильтров. При использовании экранированных кабелей, проложенных от трансформаторов тока и напряжения, возникает проблема заземления, так как возможны различные варианты связи экрана с контуром заземления (с обоих концов, с одного конца, в середине длины, многократное, глухое, через емкости и пр.). В данном случае характер электромагнитной обстановки в помещении релейного

щита таков, что имеет смысл рассматривать только наиболее доступные способы заземления экрана, а именно: с обоих концов (возле зажимов подключения основного кабеля к трансформаторам тока и напряжения, возле места установки микропроцессорной релейной защиты) и с одного конца (возле зажимов подключения к микропроцессорной релейной защите). Варианты заземления экрана были исследованы экспериментально. Результаты свидетельствуют о большей эффективности заземления экрана у зажимов микропроцессорной релейной защиты. Дело в том, что в условиях сложной конструкции устройств заземления оборудования релейного щита и большого числа источников электромагнитных полей обычно рекомендуемое заземление экрана с обоих концов не всегда является лучшим, так как может образовываться контур, в котором наводятся помехи от магнитных составляющих поля. При заземлении кабеля с одной стороны уровень напряжения кондуктивных радиочастотных помех снижается до близких к предельно допустимым значениям (на 15 дБ при частотах 230 и 560 кГц, что соответствует выбросам на осциллограммах электромагнитного поля). Наиболее рациональным было бы заземление экрана в середине кабеля, однако это сложно технически реализовать. Поэтому рекомендуется заземление экрана кабеля типа КВВГЭ со стороны микропроцессорной релейной защиты. Представляет интерес решение вопроса о замене кабеля КВВГЭ на считающийся более помехозащищенным кабель с витой парой и плетеным экраном. Однако исследование этого вопроса показало неэффективность использования таких кабелей. Для цепей, связывающих существующие цепи тока и напряжения релейных защит с цепями тока и напряжения устанавливаемой микропроцессорной релейной защиты, применение экранированного кабеля КВВГЭ с заземлением экрана только со сто

41 / 54

96 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ



роны релейной защиты не создает достаточного запаса для гарантии защиты от возможного случайного повышения уровня напряжения помех. Поэтому для дальнейшего снижения уровня напряжения кондуктивных радиочастотных помех был выполнен эксперимент по использованию ферритового фильтра на выходе рассмотренного выше кабеля КВВГЭ при установке на его жилах ферритового фильтра индуктивностью 250 мкГн (при частоте 1 МГц). Сопоставление спектров помех в обоих случаях (рис. 3.11) позволяет утверждать, что использование экранированного кабеля с заземлением экрана со стороны микропроцессорной релейной защиты и ферритового фильтра позволяет снизить уровень напряжения помех на 20 дБ. Такое снижение представляется достаточным для обеспечения надежности защиты цепей релейной защиты от случайных изменений напряжения помех. Для защиты цепи питания от кондуктивных радиочастотных помех был также исследован аналогичный ферритовый фильтр. И в этом случае снижение уровня напряже

ния помех очевидно (минимум на 13 дБ), что свидетельствует о перспективности предложенного средства защиты входных цепей устанавливаемой микропроцессорной релейной защиты. Таким образом, можно констатировать, что уровень напряжения кондуктивных радиочастотных помех во многих случаях превышает допустимые пределы, а в качестве средств ограничения таких помех можно рекомендовать использование кабеля типа КВВГЭ для связи существующих цепей с цепями тока и напряжения устанавливаемой микропроцессорной релейной защиты при заземлении экрана кабеля со стороны релейной защиты. Для обеспечения запаса по ограничению уровня напряжения кондуктивных радиочастотных помех на всех входных цепях следует устанавливать ферритовые фильтры. Импульсные и низкочастотные помехи в цепях тока и напряжения микропроцессорной релейной защиты и в цепях оперативного постоянного тока. Микропроцессорная релейная защита является также объектом электромагнитного воз

30

20

10



0,15 1

а) б) 10 МГц

40

50

60



70

80

90



дБ

30

20



10

0,15 1 10 МГц

40

50

60



70

80

90



дБ

Рис. 3.11. Спектры напряжения кондуктивных радиочастотных помех на выходе кабеля КВВГЭ без фильтра (а) и при наличии фильтра (б): горизонтальные линии — уровни допустимых помех

42 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 97



действия со стороны внешних цепей (напряжения, тока и питания), по которым распространяются как низкочастотные колебательные паразитные сигналы, так и импульсы напряжения и тока в широком спектре амплитуд и длительностей. Сложность экспериментального исследования этих помех заключается в их случайном происхождении, определяющемся такими явлениями, как коммутации высоковольтных аппаратов ОРУ под напряжением, подключения и отключения различных устройств к цепи питания в условиях нормальной эксплуатации и при выполнении профилактических, электросварочных работ в помещении релейного щита, разрядами молнии в грозовой период и т.д. В этих условиях наиболее эффективным методом исследования является регистрация всех анормальных электромагнитных явлений в исследуемых цепях в течение максимально длительного периода времени. Однако при использовании такого подхода приходится сталкиваться с техническими трудностями, связанными с отсутствием нужного количества измерительного оборудования с требующимися характеристиками. Поэтому в данном случае использовались методы как длительного наблюдения и регистрации параметров помех в исследуемых цепях, так и непосредственного эпизодического измерения параметров электромагнитных помех в исследуемых цепях при простом наблюдении за текущим состоянием цепей и при выполнении измерений во время проведения активного эксперимента на ОРУ. Результаты измерений электромагнитных низкочастотных и импульсных помех в цепях напряжения, тока и питания существующих релейных защит ВЛ 750 кВ, совместно с которыми будет работать устанавливаемая микропроцессорная релейная защита, показывают, что на осциллограммах отмечены как длительные «спокойные» периоды в помеховой обстановке исследуемых цепей (токи и напряжения

измерительных цепей на уровне, близком к нулю, и напряжение полюса «+» сети питания на уровне 110—120 В относительно земли), так и отклонения напряжения питания. Зафиксированы факты импульсных явлений в этих цепях. Анализ зафиксированных импульсных явлений в фазах А и С цепей напряжения микропроцессорной релейной защиты позволяет констатировать, что в этих цепях наблюдаются апериодические импульсы как микросекундного (длительностью десятки, сотни микросекунд и амплитудой от 4 до 60 В), так и миллисекундного (длительностью от 10 мс и амплитудой до 200 В) диапазонов. Кроме этих апериодических одиночных импульсов наблюдаются и затухающие колебательные импульсы напряжения частотой 200 кГц—1 МГц и амплитудой до 1,5 В. Импульсные явления отмечаются также и в фазе А цепи тока микропроцессорной релейной защиты. Зафиксированы импульсы тока микросекундного диапазона (длительностью от 1 до 140 мкс и амплитудой до 0,85 А). В сети постоянного тока наблюдаются микропрерывания напряжения длительностью несколько сотен микросекунд и высокочастотные колебательные наводки напряжения частотой около 40 кГц и амплитудой до 11 В. Исследуемые цепи подвергаются и электромагнитным влияниям низкой частоты. Были зарегистрированы низкочастотные наводки в виде пачек колебательных импульсов, соответствующих высшим гармоникам в сети 50 Гц напряжением до 4,5 В. Отмечены также наводки периодического характера с периодом около 6,5 мс и амплитудой до 10 В. Наводки этого вида совпали со временем электросварочных работ в помещении релейного щита и объясняются использованием общего контура заземления для цепей микропроцессорной релейной защиты и других цепей, включая заземление сварочного трансформатора.

43 / 54

98 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ



Все без исключения цепи подвергаются действию электрической составляющей поля 50 Гц от оборудования сверхвысокого напряжения ОРУ, что и было зафиксировано прибором. Особенность этих наводок заключается в том, что они фиксируются только приборами с очень большим входным сопротивлением (в данном случае 1 МОм) и не проявляются в цепях тока. Так как обычно цепи микропроцессорной релейной защиты имеют входное сопротивление несколько килоом, то опасность какого-либо влияния наводок на действие этих защит практически исключается. В период измерений сеть постоянного тока являлась единственной из исследуемых, находящейся в нормальном рабочем состоянии. Поэтому и класс зарегистрированных явлений в этой сети шире, а объем полученной информации больше: во-первых, наблюдаются значительные отклонения напряжения полюса «+» относительно земли (от 110 до 32 B); во-вторых, наблюдаются пульсации напряжения в диапазоне ±10 В с периодом около 7,5 мс. Отклонения напряжения объясняются ослаблением изоляции во время дождя и происходят сравнительно медленно. Это обстоятельство следует учитывать при

выполнении испытаний микропроцессорной релейной защиты. В качестве примера регистрации событий в наблюдаемых цепях на рис. 3.12—3.14 приведены некоторые осциллограммы. Регистрация характеристик явлений в фазах А и С цепей напряжения микропроцессорной релейной защиты и в сети питания постоянного тока продолжалась около 5 мес. Основные результаты регистрации электромагнитных событий в контролируемых цепях кратко заключаются в следующем: • с момента установки до конца текущих суток никаких отклонений параметров режима от установленных не наблюдалось; • измерено текущее значение напряжения полюса «+» сети питания относительно земли (94 В), которое довольно далеко от номинального (110 В), что свидетельствует о наличии отклонений параметров сети питания от номинальных уровней; • зарегистрированы достаточно низкий уровень напряжения полюса «+» относительно земли в сети питания микропроцессорной релейной защиты (88 вместо 100 В) и наличие возмущений в сети питания постоянного тока. За период наблюдения отмечались как «спокойные» дни, так и дни с регистрацией импульсов напряжения в цепях напряжения микропроцессорной релейной защиты, а

Рис. 3.12. Затухающий колебательный импульс частотой примерно 1 МГц в фазе А цепи напряжения микропроцессорной релейной защиты (масштаб времени 0,3 мкс/дел.)

44 / 54


3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 99

также и нарушения режима в сети питания постоянного тока. Например, в один из дней в 8 ч 13 мин напряжение полюса «+» относительно земли было 94 В и никаких нарушений установок не было зарегистрировано. В 10 ч 17 мин напряжение полюса «+» относительно земли снизилось до 69 В, причем установка минимального уровня этого напряжения 68 В не была пройдена и никаких событий не было зарегистрировано. Начиная с 10 ч 18 мин начались колебания этого напряжения в диапазоне 67—68 В,

причем на каждом уровне напряжение держалось от 10 до 790 мс. С 10 ч 17 мин до 10 ч 19 мин зарегистрировано 854 таких явлений, т.е. примерно с периодом 0,15 с происходили колебания напряжения в пределах ±0,5 В. Далее продолжилось снижение напряжения полюса «+» относительно земли до 44 В (до 10 ч 33 мин). К 15 ч 06 мин напряжение снизилось до 8 В, а затем поднялось до 10 В. Одновременно в фазе С цепи напряжения были зафиксированы два импульса напряжения амплитудами 244 и 268 В и

2

1



Рис. 3.13. Импульсные высокочастотные помехи (кривая 1) и низкочастотные колебания напряжения в сети постоянного тока (кривая 2) (масштаб времени 0,3 мкс/дел.)

1

2



Рис. 3.14. Затухающие колебательные импульсы напряжения, наведенные в фазах А (1) и С (2) цепи напряжения микропроцессорной релейной защиты (масштаб времени 0,3 мкс/дел.)

45 / 54


100 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

длительностью 225 и 94 мкс. К моменту времени 15 ч 57 мин напряжение полюса «+» относительно земли остановилось на уровне 124 В. Аналогичному анализу были подвергнуты все зарегистрированные за период наблюдения распечатки событий. В фазе А цепи напряжения микропроцессорной релейной защиты зарегистрировано 12 импульсов напряжения с амплитудой 304—204 В и длительностью 3 мкс и менее. Импульсные явления с параметрами того же диапазона были зарегистрированы и в другие дни периода наблюдений. Помехи в цепях релейной защиты при выполнении натурных экспериментов на ОРУ АС. Перед началом операций на ОРУ измерительные приборы на релейном щите были подключены в следующие точки: • цепь трансформатора напряжения (ТН), фаза В относительно земли; • цепь ТН, фаза А; • цепь трансформатора тока (ТТ), фаза А относительно земли; • цепь оперативного постоянного тока (ОТ), входы А и В («+» — земля и «–» — земля соответственно); • ВЧ-кабель (жила — земля); • контрольный провод от релейного щита 750 кВ до трансформатора напряжения (жила — земля). Были измерены импульсные помехи при выполнении коммутаций разъединителями одной из ячеек ОРУ 750 кВ. Результаты измерений параметров затухающих колеба

тельных импульсных помех приведены в табл. 3.9. Большой объем теоретических исследований по изучению электромагнитной обстановки на подстанциях 110—400 кВ [8] показывает, что наиболее надежными являются измерения непосредственно на объекте. При измерениях на подстанции 400 кВ были определены максимальные воздействия — затухающие колебательные импульсные помехи во вторичных цепях подстанции для самого неблагоприятного взаимного расположения места измерения и типа возмущения. На рис. 3.15—3.18 показаны типичные для затухающих колебательных импульсных помех формы воздействий, а результаты исследования приведены в табл. 3.10. Следует отметить, что

Таблица 3.9. Амплитуды и частоты затухающих колебательных импульсных помех в цепях релейной защиты и автоматики при коммутациях на ОРУ

Место регистрации импульсов напряжения

Амплитуда, кВ

Диапазон частоты, МГц

Цепи ТН, фаза В относительно земли

0,8—4,5 0,1—1

Цепи ТН, фаза А относительно земли

0,02—0,04 —

Цепи ТТ, фаза А относительно земли



<0,05 —

Цепи ОТ, «+» — земля



<0,05 —

ВЧ-кабель (жила — земля)

0,6—3,2 0,1—1

Таблица 3.10. Максимальное значение затухающей колебательной импульсной помехи во вторичных цепях на подстанциях 110—750 кВ, В

Цепи низкого напряжения

Подстанция 400 кВ (Эрнестиново)

Подстанция 400 кВ (Загреб 1)

Элегазовая подстанция 110 кВ (80-е гг.)

Элегазовая подстанция 110 кВ (2000 г.) Трансформаторы напряжения 3500 200 2000 1000 Трансформаторы тока 600 210 — — Цепи защиты трансформаторов 360 120 — — Цепи сигнализации и управления 700 — — — Высокочастотные цепи 1400 100 — — Кабели связи 100 20 — —

46 / 54


3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 101

максимальная наводка наблюдается во вторичных цепях трансформаторов напряжения и в цепях высокочастотной аппаратуры при коммутациях разъединителем. Также наблюдается сильное отличие наводок на подстанциях одного и того же класса напряжения, введенных в эксплуатацию в разное время. На элегазовых подстанциях 110 кВ, так же, как на подстанциях 400 кВ, затухающие

колебательные импульсные помехи наблюдаются при коммутации разъединителями. Для проведения обследований на основании модельных исследований были выбраны подстанции с одинаковыми схемами соединений, на которых выполнялись коммутации секционным разъединителем, регистрации во вторичной цепи трансформатора напряжения. Измерения проводились непосредственно в ячейках трансформаторов.

B

мкс



Рис. 3.15. Типичная осциллограмма затухающих колебательных импульсных помех во вторичной цепи измерительного трансформатора на подстанции 400 кВ (Эрнестиново) при коммутации разъединителем (масштаб по осям 140 В/дел.; 1 мкс/дел.)

–1200


–1600

–2000


0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 мкс

–800


–400

0

400



800

1600


1200

В

Рис. 3.16. Типичная осциллограмма затухающей колебательной импульсной помехи во вторичной цепи измерительного трансформатора на элегазовой подстанции 110 кВ при коммутации разъединителем



47 / 54

102 Г л а в а 3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ОБСТАНОВКА НА ОБЪЕКТАХ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ

При каждой коммутации выбиралось воздействие, имеющее максимальное значение; исключались результаты, на которые мог влиять эффект изменения характеристик среды. На подстанции, введенной в эксплуатацию в начале 80-х годов, было проведено 400 коммутаций, а на вновь вводимой —

100. Результаты статистической обработки по серии из 400 измерений приведены на рис. 3.19. Максимальное значение затухающих колебательных импульсных помех в первом случае равно 2 кВ, во втором — 1 кВ, характерные для них частоты примерно 5—25 МГц (для подстанций 400 кВ —

U

t

0



Рис. 3.17. Типичная осциллограмма затухающей колебательной импульсной помехи во вторичной цепи измерительного трансформатора на подстанции 400 кВ (Загреб) при коммутации разъединителем (масштаб по осям 100 В/дел.; 1 мкс/дел.)

0,2


–0,2

0

1 2 мкс



кВ

0,2


–0,2

0

кВ



0,2

–0,2


0

0

кВ



0,2

–0,2


0

кВ

Рис. 3.18. Типичные осциллограммы затухающих колебательных импульсных помех во вторичных цепях измерительного трансформатора на элегазовой подстанции 110 кВ при коммутации разъединителем



48 / 54

3.3. Электромагнитная обстановка на атомных станциях 103

0,5 МГц). Кроме того, в процессе коммутации разъединителя наблюдались перекрытия на корпус. Снижение уровня помех на вновь вводимой подстанции объясняется улучшенной конструкцией заземляющих устройств (более частой сеткой). Из приведенных выше результатов исследований следует: • на старых подстанциях с воздушной изоляцией коммутации разъединителем создают неприемлемый уровень затухающих колебательных импульсных помех; • на элегазовых подстанциях нового поколения уровень затухающих колебательных импульсных помех меньше и в

большинстве случаев укладывается в допустимые нормы воздействия; • в каждом случае перед вводом нового объекта в эксплуатацию следует обеспечить проведение анализа уровня затухающих колебательных импульсных помех. Следует отметить, что приведенные в [14] значения затухающих колебательных импульсных помех на ОРУ 400 кВ близки к помехам, зарегистрированным на отечественных АС первого поколения. Учитывая важность цепей питания оперативным током, дополним приведенные материалы кратким описанием цепей и рассмотрим подробнее проблемы электромагнитной совместимости в них.

2. Основные способы защиты от ЭМП.

В. Исходные данные для моделирования ЭМП в современных программных

комплексах (типа АЫБУБ).

4. Допустимые уровни электромагнитного влияния на терминалы РЗиА.

5. Виды испытаний оборудования на помехоустойчивость. Аттестация терминалов

РЗиА по требованиям ЭМС.

6. Основные источниками электромагнитных помех на объектах энергетики.

7. Классификация электромагнитных помех.

8. Естественные и искусственные источники ЭМП, на объектах энергетики.

9. Методы расчета и моделирования электромагнитных полей.

10. Электрические фильтры.

11. Гальванические развязки.

12. Ограничители перенапряжений.

13. Основы экранирования.

14. Молниезащита объекта энергетики.

15. Выбор вторичных кабелей к терминалам РЗиА.

16. Постоянный и переменный оперативный ток.

17. Тракты передачи помех в терминалы микропроцессорной РЗиА.

18. Проектирование подстанции (ОРУ, ГЩУ) с позиций электромагнитной

совместимости.

19. Качество электроэнергии.

20. Основы оценки ЭМС для терминалов РЗиА.

21. Приборы и методы измерения ЭМП на объектах энергетики.

22. Требования к помещению и схемам экспериментов при аттестации устройств



РЗиА по требованиям ЭМС.

Поделитесь с Вашими друзьями:


База данных защищена авторским правом ©2docus.ru 2017
обратиться к администрации

    Главная страница
Контрольная работа
Курсовая работа
Лабораторная работа
Рабочая программа
Методические указания
Пояснительная записка
Методические рекомендации
Учебное пособие
Практическая работа
Общая характеристика
Теоретические основы
Теоретические аспекты
Дипломная работа
Физическая культура
Теоретическая часть
Федеральное государственное
Самостоятельная работа
Технологическая карта
Техническое задание
Выпускная квалификационная
История развития
квалификационная работа
Краткая характеристика
Гражданское право
Методическое пособие
государственное бюджетное
Производственная практика
Общие положения
Методическая разработка
прохождении производственной
Учебная программа
Общие сведения
Направление подготовки
Экономическая теория
Операционная система
Правовое регулирование
Общие требования
Экономическая безопасность
Управление персоналом
Управление образования
История возникновения
Техническое обслуживание
Математическое моделирование
создания отчетов
Теория государства
Системное программирование
Проверочная работа
Структурная схема
Организация производства
физическая культура
Электромагнитная совместимость